В 1953 году исследователь Эберхард Шпенке и его коллеги из лаборатории полупроводников компании «Сименс» в г. Претцфельде разработали технологию производства сверхчистого кремния, которая произвела революцию в электронике и электротехнике.
По этой технологии стержень из поликристаллического кремния плавится вокруг затравочного монокристалла и проходит через высокочастотное поле. Та часть стержня, которая расплавляется, а затем охлаждается, приобретает необходимую монокристаллическую структуру; в то же время химические примеси удаляются из расплава, что позволяет получить сверхчистый кремний. Для изготовления полупроводниковых устройств, таких как диоды, транзисторы и микросхемы, на миллиард атомов кремния должно оставаться всего два атома других веществ.
Впоследствии лицензии на использование метода зонной плавки были предоставлены многочисленным компаниям из США, Японии и Германии.